Исследование образцов на макро-, микро-и наноразмерных уровнях, энергодисперсионный микроанализ

Исследование образцов на макро-, микро-и наноразмерных уровнях, энергодисперсионный микроанализ

Исследуются образцы, проводящие электрический ток, либо непроводящие с нанесенным на них токопроводящим покрытием с помощью сканирующего электронного микроскопа с экстра-большой камерой (ХМ) в высоковакуумном исполнении.
Микроскоп обеспечивает получение изображений высокого качества (рис.1, рис.2, рис.3, рис.4, рис.5).

Поверхность диэлектрического слоя тонкопленочного датчика
Рисунок 1 - Поверхность диэлектрического слоя тонкопленочного датчика. Детектор InBeam, ускоряющее напряжение 10 кВ.
Кремниевая перемычка МЭМС
Рисунок 2 - Кремниевая перемычка МЭМС. Детектор SE, ускоряющее напряжение 20 кВ.
Скол на поверхности стекла
Рисунок 3 - Скол на поверхности стекла. Детектор InBeam, ускоряющее напряжение 20 кВ.
Микротрещина на поверхности детали
Рисунок 4 - Микротрещина на поверхности детали. Детектор SE, ускоряющее напряжение 10 кВ.
Поверхность керамики
Рисунок 5 - Поверхность керамики. Детектор SE, ускоряющее напряжение 20 кВ.

Энергодисперсионный анализ

Энергодисперсионный микроанализ осуществляется с помощью новейшего энергодисперсионного кремний-дрейфового (ЭДС SDD) безазотного детектора Х-МАХ 80 с уникальными характеристиками:

  • активная площадь кристалла от 20 до 150 мм2;
  • типичное разрешение 123-125 эВ (на линии Mn Kα);
  • надежный количественный элементный анализ при скорости счета до 250 000 имп/сек.

Пример результата исследования элементного состава материалов методом энергодисперсионного микроанализа приведен на рис. 6.

Элементный состав материала
Рисунок 6 - Результат исследования элементного состава материалов методом энергодисперсионного микроанализа

Массовое процентное содержание

O Na Al Si Ca Cu Ag Au
13,36 0,45 1,23 1,34 0,29 2,82 1,24 79,26

Основные технические характеристики микроскопа

Источник электронов Катод Шотки высокой яркости
Разрешение 1,0 нм при 30 кВ; 2,0 нм при 3 кВ
Увеличение Непрерывное от 1х до 1000000х
Ускоряющее напряжение
От 200 В до 30 кВ
Ток пучка электронов От 2 пА до 200 нА
Размер изображения
До 8192 х 8192 пикселей. Глубина градации серого/цветности до 16 Бит на канал
Детекторы SE - детектор вторичных электронов типа Эверхарта Торнли
BSE - выдвижной детектор отраженных электронов
In-Beam SE - встроенный в колонну детектор вторичных электронов
In-Beam BSE - встроенный в колонну детектор отраженных электронов
EDX - энергодисперссионный спектрометр
EBSD - система анализа картин дифракции обратно-отраженных электронов
Другие характеристики Внутренние размеры: 285 мм (ширина) х 340 мм (глубина)
Дверца: 285 мм (ширина) х 320 мм (высота)
Компуцентрический, полностью моторизованный столик образцов
Максимальная высота образца: 145 мм (без вращения столика), 116 мм ( с вращением столика)

Возврат к списку

Научная деятельность